(от фото... и транзистор) - транзистор (обычно биполярный), в к-ром управление коллекторным током осуществляется на основе фотоэффекта внутреннего; служит для преобразования световых сигналов в электрические с одновременным усилением последних. Основу Ф. составляет монокристалл ПП (преим. кремния) со структурой р _ п - р или п - р - n -типа (см. рис.). При освещении в базе Ф. образуются парные носители заряда (электроны и дырки), к-рые разделяются электрич. полем коллекторного перехода; в результате в базовой области накапливаются осн. носители заряда, что приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению тока через Ф. Осн. параметры Ф.: чувствительность (отношение фототока к падающему световому потоку) достигает 10 А/лм (для Ф., изготовленных по диффузионной планарной технологии); постоянная времени, характеризующая инерционность Ф., обычно не превышает неск. сотен мкс; коэфф. усиления по току 100 - 1000. Ф. широко применяются в устройствах автоматики, вычислит. техники и др.; входят в состав оптронов.

Схема кремниевого планарного фототранзистора: 1 - коллектор; 2 бава; 3 - эмиттер; 4 - просветляющее покрытие