транзистор, в к-ром изменение тока происходит под действием перпендикулярного ему электрич. поля, создаваемого входным сигналом. Протекание рабочего тока в П. т. обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие транзисторы наз. униполярными (в отличие от биполярных). В П. т. движением носителей заряда через канал (область управляемой проводимости) от истока (области, являющейся источником дырок или электронов в зависимости от типа проводимости канала) к стоку (области, собирающей эти заряды из канала) управляет спец. электрод - затвор (см. рис.). По физ. эффектам, лежащим в основе управления носителями заряда, П. т. условно делят на 2 группы: с управляющим р - п-переходом или контактом металл - полупроводник и с изолир. затвором - со структурой типа МДП (металл - диэлектрик - полупроводник). П. т. изготовляются, как правило, на основе кремния или арсенида галлия; они могут иметь высокое входное (до 1000 ТОм) и выходное (до 1 МОм) сопротивления по пост. току, малую инерционность, высокий частотный предел (св. 40 ГГц). Применяются в усилителях электрич. колебаний, измерит., счётных и переключающих устройствах и т. д. П. т. со структурой МДП (т. н. МДП-транзисторы) широко используются также в составе интегральных схем. Др. назв. П. т. - канальный.

Принципиальная схема включения полевого транзистора: 1 - области объёмного заряда р - п-переходов; 2 - канал; С - сток; 3 - затвор; U_сигн - напряжение сигнала; R_н - нагрузочный резистор; Е_з и Е_с - постоянные напряжения соответственно в цепях затвора и стока. Исток полевого транзистора подключён к общей точке О электрических цепей