(ЛПД) - полупроводниковый диод с отрицат. сопротивлением в СВЧ диапазоне, работающий при обратном смещении ПП перехода в режиме лавинного умножения носителей заряда (см. Лавинный пробои) и их пролёта через ПП структуру. Возникновение отрицат. сопротивления в ЛПД связано с конечным временем нарастания лавинного тока и прохождения носителями  пролётной области, что приводит к появлению фазового сдвига между током и напряжением на выводах прибора. ЛПД широко применяются для генерирования и усиления электромагн. колебаний в диапазоне частот 1 400 ГГц. Для изготовления ЛПД применяют ПП материалы с высокой подвижностью и дрейфовой скоростью носителей заряда, а также большой шириной запрещённой зоны (Ge, Si, GaAs, InP); при этом используют различные ПП структуры (напр., р⁺ - р - п - п⁺, р⁺ - р - п⁺), создаваемые диффузией примесей, ионной имплантацией, эпитакси-альным наращиванием и напылением металла в вакууме с образованием барьера Шотки (см. Шотки диод). Наибольшая выходная мощность ЛПД достигает сотен Вт в импульсном режиме и десятков Вт в непрерывном; кпд обычно не превышает 30%.