(от лат. defectus - недостаток, изъян) - несовершенства кристаллич. строения, нарушения строго периодич. расположения частиц в кристаллич. решётке. Д. в к. подразделяют на группы по геом. признакам. Точечные дефекты (нульмерные) малы во всех измерениях - не более неск. атомных диаметров. К ним относят вакансии, межузельные атомы, атомы примеси и их комплексы. Линейные (одномерные) Д. в к. имеют атомные размеры в двух измерениях, а в третьем могут быть соизмеримы с длиной кристалла. Это дислокации, цепочки вакансий и межузельных атомов (см. рис.). Поверхностные (двумерные) Д. в к. малы лишь в одном измерении. Таковы дефекты упаковки атомов, границы в кристаллах. Перечисл. Д. в к. являются микроскопия., по крайней мере в одном измерении их протяжённость по порядку величины равна атомному диаметру. Объёмные (трёхмерные) Д. в к. - трещины, поры, раковины и т. п. - правильнее называть пороками кристаллов. Д. в к. сильно влияют на механич. св-ва материалов, процессы пластич. деформации, разрушения, рекристаллизации, старения и др. Д. в к. оказывают решающее влияние на мн. физ. св-ва кристаллов, и в нек-рых случаях (напр., при производстве ПП) концентрация Д. в к. стала технологич. хар-кой. Д. в к. определяют электронную проводимость и дырочную проводимость ПП кристаллов, их фотопроводимость, спектры поглощения и люминесценции. Д. в к. в виде примесных атомов способны вызвать изменение элек-трич. проводимости ПП в тысячи и даже миллионы раз (см. Зонная теория).

К ст. Дефекты в кристаллах. Схематические изображения нормального (а) и искажённого (б - дислокация, в - сдвиг) состояний кристаллической решётки