возникновение ВЧ колебаний электрич. тока в ПП образце с N-образной вольтамперной характеристикой (см. рис.) под действием сильного пост. электрич. поля (напряжённостью ~ 10⁵ В/м). Г. э. связан с периодич. появлением в однородном ПП кристалле и перемещением по нему области сильного электрич. поля - электрич. домена, наз. доменом Ганна. Образование электрич. доменов обусловлено нарастанием к.-л. неоднородности в распределении электрич. поля (напр., локальной флуктуации плотности заряда, возникшей в результате неоднородного легирования) в среде с отрицат. дифференц. проводимостью. Частота ВЧ колебаний обратно пропорциональна длине образца. Так, в кристалле арсенида галлия GaAs длиной 50 - 30 мкм частота колебаний ~ 0,3 - 2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях СВЧ. См. также Ганна диод.

К ст. Ганна эффект. N-образная вольтамперная характеристика: Е напряжённость электрического поля, создаваемого приложенной разностью потенциалов U (Е = U/l, где l - длина образца); j - плотность тока